理工学部機能創造理工学科の下村 和彦教授が、一般財団法人ツルギフォトニクス財団の2021年度研究助成に４月1日に採択されました

■研究課題：
「シリコンプラットフォーム上GaInAsP系量子井戸レーザの低しきい値化に関する研究」

■研究概要：
シリコンプラットフォーム上にInP系半導体レーザを集積化する方法として、シリコン基板へ1μm厚のInP薄膜を直接貼付けし、その後レーザ構造の結晶成長、プロセスを行う方法を研究してきた。本研究においては、GaInAsP系量子井戸レーザにおいて、しきい値電流の低減、温度特性の改善、高出力化、さらに単一モード導波路化した埋込み構造を導入することによってシリコンプラットフォーム上集積レーザの高性能化に関する研究を行う。

■研究担当者（所属・職位・氏名）：理工学部 機能創造理工学科　教授　下村 和彦

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ＵＲＬアドレスhttp://www.tsurugi-photonics.or.jp/item_list1.html