トガシ リエ
2006-2018、 国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関するエピタキシャル成長および理論解析について研究
2018-現在 上智大学理工学部機能創造理工学科、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関する結晶成長、デバイス応用、理論解析について研究(研究テーマ)
III族酸化物半導体結晶成長
前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長
III族窒化物半導体成長
博士(工学)(東京農工大学)
ハイドライド気相成長法,第一原理計算,酸化物半導体結晶成長,III族窒化物半導体結晶成長,熱力学解析,半導体結晶成長
高効率、長寿命、省電力機能を有する光・電子デバイスの作製が可能であり、省エネルギー社会に貢献できるⅢ族窒化物、酸化物半導体材料について、理論解析、それらの結果に基づいた成長手法の提案、成長装置の構築、結晶の創出、評価、デバイス応用まで一貫して実施しています。具体的には、「窒化物ナノコラム結晶を用いた高機能光デバイスの研究」、「クリーン原料を用いたⅢ族酸化物半導体結晶に関する研究」等を行っています。