1988年－1994年　AlGaInP赤色半導体レーザの研究
1994年－現在　InP基板上Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の開拓とデバイス応用教育活動について
過去に担当した講義科目
「旧電気・電子工学科」
応用数学Ⅰ、基礎科目演習Ⅱ、電気工学実験Ⅲ、電気工学実験Ⅳ
「学部」
電気・電子回路の基礎、半導体物性、電気電子情報産業概論、電気電子工学実験Ⅲ、情報リテラシー演習（応用）、統計解析法演習、情報リテラシー演習（機能創造理工学科指定）、科学技術英語
「大学院」
ADVANCED ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 2、研究指導演習
現在担当している講義科目
「学部」
半導体物理の基礎、電子量子力学、電子物性工学、理工学総論、電気電子工学実験Ⅰ、電気電子工学実験Ⅱ、GREEN ENGINEERING LAB. 3、機能創造理工学科ゼミナール、情報リテラシー（統計処理）、卒業研究
「大学院」
量子物性工学、電気・電子工学ゼミナール、大学院演習、研究指導
研究活動について
これまで、Ⅲ-Ⅴ及びⅡ-Ⅵ族化合物半導体の開拓、またデバイスへの応用に向けた研究を行っている。(研究テーマ)
化合物半導体による新機能光デバイスの開発(共同・受託研究希望テーマ)
フルカラー発光デバイス光源の開発

工学士(上智大学)，工学修士(上智大学)，博士（工学）(上智大学)

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体，分子線エピタキシー，発光ダイオード，半導体レーザ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体，エピタキシャル成長，光デバイス

新しい半導体材料や新物性を見出して、その特⾧を生かしたデバイスの開発を目指しています。例えば、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体を用いてフルカラーで発光するLED、半導体レーザの開発を行っています。これが実現されれば仮想現実や拡張現実に向けた高性能ディスプレー等への応用が期待されます。他にも、サブバンド間遷移を利用した超高速光デバイスや共鳴トンネルダイオード、太陽電池等、様々なデバイス展開を検討しています。